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MRAM検査技術

OHTは次世代メモリの有力候補であるMRAM(磁気抵抗メモリ)の全自動検査装置をいち早く製品化しました。

MRAM(磁気抵抗メモリ)特性計測方法
  • 計測対象のウェハーに金属プローブを当てた状態で、搭載した電磁石から世界トップクラスとなる最大1.5Tの強磁界をウエハー表面に印加し、MJT(Magnetic Tunnel Junction)の電気特性を計測します。
  • 印可磁界は直径4mmの範囲で±1%の均一性を持ちます。